Electrons, barrera de potencial y un poco más

Como están..
Haber si me pueden ayudar con química...
¿1 cuántos electrones de valencia tiene el Si?
3 si en una estructura de Si se introduce un átomo de 5 valencias, este se hace más conductor o menos aislante ¿?
4 si en una estructura de Si se introduce un átomo de 3 valencias, este se hace más conductor o menos aislante ¿?
¿7 a que se denomina barrera de potencial?
¿8 si una union P-N (catodo y anodo) se polariza inversamente que le ocurre a la barrera de potencial?
¿9 cuál es la diferencia de potencial (voltaje) que se origina en la barrera de potencial de Si y Ge?
Bueno espero que me saquen de este aprieto¡
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Vamos con la tanda de preguntas:
1)El silicio tiene 4 electrones de valencia al igual que el carbono.
3)Vamos a ver: más condutor es lo mismo que menos aislante. Supongo que quieres preguntar si se vuelve más condutor, por que el silicio ya es muy aislante de por si. Normalmente el silicio se le añade fósforo como átomo de 5 valencias y al hacerlo el fósforo aporta electrones "libres" para poder conducir la electricidad. Por tanto el silicio al ayadir no uno sino 1 átomo de fósforo por millón de silicio se vuelve más conductor, es decir, se vuelve un semiconductor de tipo N.
4)Al ayadir aluminio al silicio se generan huecos de electrones y por tanto pueden circular igual que en el caso anterior pero este sera un semicondutor de tipo P. Por tanto es más condutor.
7)Se le denomina barrera de potencial a la energía que hay que aportar a un electrón para moverlo de una intentar a otra y por tanto es la misma diferencia de energía entre un electrón libre y uno no libre. Esto es debido a que para mover los electrones libre antes hay que hacer espacio y arrancar uno no libre. Por tanto se necesita esa diferencia de energía.
8) Esa union es típica para poder hacer circular corriente eléctrica en una sola dirección. P-N son dos semiconductores, uno positivo y el otro negativo unidos.
Al poner cargas positivas en el N, arancamos electrones del semiconductor N y dejamos una carga positiva en todo el semiconductor P-N pero entonces el semiconductor P acepta electrones dado que tiene un exceso de electrones en su superficie externa y compensa las cargas que ha dejado la marcha de los electrones en la parte P del semiconductor. En definitiva nosotros apreciamos que ha circulado electrones por dicho seminconductor P-N pero si la polaridad la cambiáramos no veríamos paso de corriente dado que en la parte N no pasarara nada si ponemos un exceso de electrones y tampoco si ponemos una deficiencia de electrones en la parte P.
Por tanto al hacer lo dicho la barrera de potencial disminuye hasta el punto de ser insignificante.
9)Suponiendo que sea un cristal único de silicio y germanio la barrera de potencial seria también la diferencia de energía entre los electrones libres y los no libres, supongo que sera menor dado que al ser más estable electrónicamente hablando el silicio encontraras capas electrónicas de silicio y germanio con estas características más próximas que si tuvieras solo un cristal de silicio o germanio por separado. El numero no lo se, para eso deberías consultar libros. Espero haberte sido de ayuda y si necesitas algo más dímelo.
Disculpa el atraso, pero a veces el tiempo no es como uno quiere
Quería agradecerte vuestra respuesta, me quedo muy claro lo que me dices...
Que tengas un buen día
Saludos
haex¡

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