¿Se forma una frontera o división cuando se mezcla boro y fósforo?
He visto un video sobre semiconductores que afirma que al mezclar boro ( 3 e- en su ultima órbita) y fósforo (con 5 e- en su ultima órbita)se genera un enlace covalente y los dos átomos pasan a tener 8 electrones bailando por sus ultimas órbitas que ahora estarían unidas... Sobraría un electrón que queda vagando y que produciría el movimiento de corriente al conectar una fuente... Lo vi acá´:
.https://www.youtube.com/watch?v=fFVU7-kfPe8&t=181s
Luego vi este otro video sobre como funciona el diodo y que dice de manera básica que se forma una división entre el material N del fósforo y el material P del boro... Y se forma un exceso de electrones por un lado y un defecto por el otro
https://www.youtube.com/watch?v=gqzq2ZxCxCM
Mi pregunta es : ¿Se forma una barrera natural cuando se mezcla el boro con fósforo o no necesariamente?
Porque el 1º video no dice que de produce una barrera entre los dos elementos...
2 Respuestas
Eso a lo que te refieres se llama potencial de barrera y en efecto es una frontera entre ambas regiones P y N.
Si polarizas inversamente el diodo crece esa barrera y eso se aprovecha en los diodos varicaps para usarlos como capacitores regulables por tensión.
http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_2.htm#:~:text=El%20punto%20de%20uni%C3%B3n,del%20diodo%E2%80%9D.&text=Hasta%20tanto%20los%20electrones%20no,no%20podr%C3%A1n%20atravesar%20esa%20barrera.
Pero cuando vos mezclas boro y fósforo para fabricar un diodo...¿esa barrera se forma de manera natural al combinar los dos elementos?
el exceso de electrones no pasa directamente a los huecos...porque tiene esa barrera...
¿pero como se forma esa barrera? esa es mi interrogante
El semiconductor extrinseco se fabrica haciendo obleas de silicio dopado con indio o arsénico o galio o cualquier otro metaloide según lo que se quiera conseguir.
Por ejemplo los leds son de arsenuuro de galio y según los dopes sera el color de luz que emitan.
El dopaje se hace calculando los moles (numero de Abogadro) que hacen falta por cada gramo de material y se aplican con técnicas avanzadas de epitaxia o sputtering.
Todo se hace en una sala blanca donde la atmósfera esta controlada para evitar que no existan motas de polvo en el aire por que eso arruinaría la oblea
Como es imposible eliminar el 100% de polvo del aire se recurre a darle un barrido con laser a la oblea una vez acabada para volatilizar las pocas moléculas de polvo que tuviera.
El siguiente proceso es soldarle los hilos para los terminales mediante ultrasonidos.
Pero el video que yo vi (más arriba) dice que para crear un semiconductor se usa silicio y fósforo y silicio o boro
El segundo video dice que el diodo dibujado se forma mediante la union de fósforo y boro
Ahora el texto que me mandas( llamado así funciona) dice que un diodo se cre a a partir de la union de un cristal semiconductor de silicio (Si) de conducción “tipo-p” (positivo) y otro cristal semiconductor también de silicio, pero de conducción “tipo-n” (negativo)..
¿En qué quedamos? ¿Se puede usar distintos elementos para formar un diodo?
Existen diversas tecnologías para fabricar semiconductores,
No es lo mismo un diodo led, que un diodo rectificador o un diodo de conmutación rápida.
De igual manera no es lo mismo un semiconductor de silicio que uno de germanio.
Esas cosas las estudie yo hace más de 25 años cuando no existía interne y te lo tenias que curra a base de comprar muchos libros y dedicarle muchísimas horas de estudio.
De verdad que no entiendo como con la facilidad y los medios que hay hoy la gente no sabe nada de nada y es por que no se esfuerza y quiere que le llegue todo sin estudiar.
Sin esfuerzo no hay gloria.
Te lo digo con toda la buena fe del mundo.
Ponte las pilas y estudia a diario.
Uno no alcanza la maestría en 4 días viendo tutoriales.
De igual manera un levantador de pesas no consigue levantar 200 kilos por arte de magia de la noche a la mañana, es un trabajo diario de duro entrenamiento, de perseverancia, tenacidad, voluntad y constancia.
Espero que esto que te digo te haga reflexionar.
Yo nací en una familia de pocos recursos económicos y no he cursado carrera universitaria, todo lo que se lo aprendí yo solo.
Mi única titulación es la educación obligatoria.
He estudiado de forma autodidacta al mismo tiempo de estar trabajando en dos trabajos a la vez.
El estar pluriempleado no me ha impedido dedicar tiempo a estudiar.
Mi padre falleció y nos dejo sin pensión por no haber cotizado en la vida por lo que por fuerza me convertí en el sustento de mi madre viuda y mis dos hermanos.
Ahora si quieres me dices si tienes motivos para no aplicarte y estudiar.
Los metales son únicos como buenos conductores de la electricidad. Los elementos que citas ( B y P) no son sustancias metálicas. Cuando se mezclan Boro y Fósforo no pasa nada.
Pero ocurre que ambos elementos son sustancias de " dopaje" que se agregan en muy pequeñas cantidades a ciertos elementos semiconductores típicos ( silicio, germanio, entre otros...) para formar uniones P o N... para constituir un dispositivo caracteristico llamado " diodo semiconductor".
Perdón..., me equivoque
Porque en el 1º video se esta mezclando silicio con fósforo y silicio con boro...
..., pero en el segundo video se esta mezclando boro y fósforo para formar el diodo
Pero la pregunta seria:
Cuando vos mezclas boro y fósforo para fabricdar un diodo...¿esa barrera se forma de manera natural al combinar los dos elementos?
¿Como se forma esa barrera? esa es mi interrogante
Cuando vos mezclas boro y fósforo para fabricdar un diodo...¿esa barrera se forma de manera natural al combinar los dos elementos?
No mezclas quimicamente el boro con el fósforo...... sino que enfrentas dos trozos de semiconductor ( p. ej. silicio) dopados con boro y con fósforo, y que te constituyen sustancias tipo N o tipo P-
El tema no es fácil para desarrollar aquii...( y nada simple)... .solo te voy a adelantar que al entrar en contacto estrecho dos materiales - uno tipo N y otro tipo P - se establece una difererencia energética. (Aquí interviene también la física cuántica). Eso constituye la barrera.
El material tipo P tiene una alta concentración de huecos frente a la de electrones mientras que ocurre al revés en el material de tipo N ( hay una alta concentración de electrones liberados frente a la de huecos). Estro origina una diferencia de Energía Potencial entre ambos trozos en contacto. Es un tema de potencial de contacto. La diferencia posibilita la circulación de corrientes de ambos sentidos al polarizar la union. O sea la barrera se genera por el estrecho contacto entre ambos trozos. Es el principio del diodo semiconductor. Ya te lo anticipo tambien Miguel es su respuesta.
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Ok eso era lo único que quería saber, como se forma la barrera y me lo has explicado... sin necesidad de leer 20 páginas... eso es lo que me gusta ... que la gente vaya al grano sin ambages y sin andar dando vueltas...
Es mi forma de ser ... por lo menos se expresar no muy complicadamente los temas...