Ampliación memoria ram compaq presario c-700 c735em
He intentado ampliar la memoria ram del famoso portátil que daba el banesto y me he encontrado un problema. Compré la misma tarjeta, marca samsung de 1 gb que la que traía el portátil, según las especificaciones del modelo soporta 2 gb de ram, el sistema operativo es windows vista y no consigo que trabaje con los 2 gb.
He consultado un montón de entradas sobre el mismo portátil, he probado desde msconfig, he actualizado la bios, y la verdad es que ya no se si cambiando el sistema operativo lograría que trabajase con las dos. He hecho una pasada con Everest y éstos son los datos que me muestra, agradecería mucho alguna propuesta de solución:
--------[ EVEREST Ultimate Edition ]------------------------------------------------------------------------------------
Versión EVEREST v5.50.2100/es
Módulo de rendimiento 2.5.292.0
Página Web http://www.lavalys.com/
Tipo de informe Informe rápido [ TRIAL VERSION ]
Computadora ANT1
Generador Ant
Sistema operativo Microsoft Windows Vista Home Basic 6.0.6000 (Vista RTM)
Fecha 2015-11-28
Hora 16:48
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Samsung M4 70T2953CZ3-CE6 ]
Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo Samsung M4 70T2953CZ3-CE6
Número de serie 742D956Dh (1838493044)
Fecha de fabricación Semana 46 / 2006
Tamaño del módulo 1 GB (2 ranks, 4 banks)
Tipo de módulo SO-DIMM
Tipo de memoria DDR2 SDRAM
Velocidad de la memoria DDR2-667 (333 MHz)
Ancho de bus del módulo 64 bit
Voltaje del módulo SSTL 1.8
Método de detección de errores Ninguno/a
Tasa de actualización Reducido (7.8 us), Self-Refresh
Tiempos de Memoria:
@ 333 MHz 5-5-5-13 (CL-RCD-RP-RAS) / 18-35-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Características del módulo de memoria:
Analysis Probe No está presente
FET Switch External Desactivado/a
Weak Driver Soportado
Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa Samsung
Información del producto http://www.samsung.com/global/business/semiconductor
[ DIMM3: [ TRIAL VERSION ] ]
Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo [ TRIAL VERSION ]
Número de serie 75646F7Bh (2070897781)
Fecha de fabricación Semana 8 / 2008
Tamaño del módulo 1 GB (2 ranks, 4 banks)
Tipo de módulo [ TRIAL VERSION ]
Tipo de memoria DDR2 SDRAM
Velocidad de la memoria DDR2-667 (333 MHz)
Ancho de bus del módulo 64 bit
Voltaje del módulo SSTL 1.8
Método de detección de errores Ninguno/a
Tasa de actualización Reducido (7.8 us), Self-Refresh
Tiempos de Memoria:
@ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Características del módulo de memoria:
Analysis Probe No está presente
FET Switch External Desactivado/a
Weak Driver Soportado
Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa Samsung
Información del producto http://www.samsung.com/global/business/semiconductor
